最新消息！日前，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在光谷九峰山实验室下线。此项成果使用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆，单片集成光电收发功能，为目前全球硅基化合物光电集成最先进技术。该项成果可实现超低损耗、超高带宽的高端光芯片规模制造，为目前全球综合性能最优的光电集成芯片。此项成果由九峰山实验室联合重要产业合作伙伴开发，将尽快实现产业商用。薄膜铌酸锂由于出色的性能在滤波器、光通讯、量子通信、航空航天等领域均发挥着重要作用。但铌酸锂材料脆性大，大尺寸铌酸锂晶圆制备工艺困难，铌酸锂微纳加工制备工艺也一直被视为挑战。目前，业界对薄膜铌酸锂的研发还主要集中在3寸、4寸、6寸晶圆的制备及片上微纳加工工艺上。九峰山实验室工艺中心基于8寸薄膜铌酸锂晶圆，开发与之匹配的深紫外(DUV) 光刻、微纳干法刻蚀及薄膜金属工艺，成功研发出首款8寸硅光薄膜铌酸锂晶圆，实现低损耗铌酸锂波导、高带宽电光调制器芯片、高带宽发射器芯片集成。此项成果为薄膜铌酸锂光电芯片的研制与超大规模光子集成提供了一条极具前景的产业化技术路线，为高性能光通信应用场景提供工艺解决方案。光谷居民欢迎进群交流
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