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近日,随着晶圆制造厂房最后一斗混凝土完成浇筑,年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构正式封顶。长飞先进武汉基地项目位于武汉新城中心片区,由长飞先进半导体(武汉)有限公司出资建设,总投资预计超过200亿元。项目主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产,应用范围广泛覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域,致力于打造全智能化的碳化硅器件制造标杆工厂。项目建成后,将成为国内最大的碳化硅功率半导体制造基地。
该项目由中建一局承建,占地面积约22.94万平方米,建筑面积约30.15万平方米,主要建设内容包括芯片厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等,建设周期为578日历天。
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项目达产后,预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块,产能位居全国前列,将促进设备、材料、设计、制造、封装、测试等产业链上下游通力合作,助力武汉打造国内化合物半导体产业高地,吸引世界级碳化硅半导体高端人才来武汉就业创业,助力形成创新活跃、要素齐全、开放协同的产业生态。
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