日前,长飞先进武汉基地项目首栋宿舍楼提前封顶。这标志着,该项目进入投产倒计时,预计于今年6月全面封顶,明年7月投产。
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长飞先进武汉基地项目位于武汉新城中心片区,由长飞先进半导体(武汉)有限公司出资建设,总投资预计超过200亿元。
项目主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产,应用范围广泛覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域,致力于打造全智能化、世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂。项目建成后,将成为国内最大的碳化硅功率半导体制造基地。项目占地面积约22.94万平方米,建筑面积约30.15万平方米,主要建设内容包括芯片厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等,建设周期为578日历天。